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Infineon Technologies IPZA65R018CFD7XKSA1
| Artikelnummer: | IPZA65R018CFD7XKSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | HIGH POWER_NEW |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Infineon Technologies IPZA65R018CFD7XKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPZA65R018CFD7XKSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.91mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-4-3 Serie CoolMOS™ CFD7 Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 58.2A, 10V Verlustleistung (max) 446W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-247-4 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11660 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 234 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 106A (Tc) Grundproduktnummer IPZA65R -
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